세계 최강 반도체 강국 대한민국 메모리에 사용되는 MOSFET 최초 발명자를 아십니까?
대한미국 과학자 강대원 박사이십니다. 물리전자(반도체 공학)을 공부하면서 MOSFET 발명자가 외국인이 아닌 대한민국 과학자라는 사실에 긍지를 가져봅시다.
참고로 BJT는 강대원 박사가 소속해있던 미국 Bell Lab.의 윌리엄 쇼클리, 죤 바딘, 월터 하우저 브래튼이 공동으로 발명하였고 1956년 노벨 물리학상을 수상하였다. 하지만 지금 BJT보다 MOSFET이 세상에 더 널리 사용되고 있지만 아쉽게도 MOSFET 발명자인 강대원 박사는 노벨상을 수상하지 못하였다.
참고로 BJT는 강대원 박사가 소속해있던 미국 Bell Lab.의 윌리엄 쇼클리, 죤 바딘, 월터 하우저 브래튼이 공동으로 발명하였고 1956년 노벨 물리학상을 수상하였다. 하지만 지금 BJT보다 MOSFET이 세상에 더 널리 사용되고 있지만 아쉽게도 MOSFET 발명자인 강대원 박사는 노벨상을 수상하지 못하였다.
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강대원(姜大元, Dawon David Kahng, 1931년 5월 4일-1992년 5월 13일)은 대한민국의 반도체 물리학자이다.
서울에서 출생했으며, 한국전쟁 기간중에 통역장교로 해병대 복무를 마치고 복학하여 1955년에 서울대학교 물리학과를 졸업하였다. 오하이오 주립대학교 전자공학과에서 1956년에 석사 및 1959년에 박사학위를 받았다. 오하이오 주립대학교에서는 성장중인 산화층을 통과하여 실리콘에 불순물을 확산시키는 연구를 하였다. 1959년부터 벨 연구소에서 근무하였으며, 여기서 1960년에 마틴 아탈라(Martin Mohammed John Atalla)와 공동으로 금속-산화층-반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)을 최초로 개발하였고, 결정성 실리콘 기판에 설치된 강한 전기장 전자 장치(hot electron device)에서 불순물 주입을 연구하였다.
미국 전기전자공학회(IEEE), 한국물리학회 종신회원을 지냈으며, 1975년에는 프랭클린 연구소에서 물리분야에 수여하는 스튜어트 밸런타인 메달, 1986년에는 오하이오 주립대학교 공과대학 '자랑스런 졸업생상(Distinguished Alumni Awards)'을 수상하였다. 수십편의 논문과 몇 권의 책을 저술하였으며 수십편의 미국 특허를 얻었다. MOSFET을 최초로 개발한 공로로 2009년에 미국 상무부 산하 특허청의 발명가 명예의 전당(National Inventors Hall of Fame)에 올랐다.
서울에서 출생했으며, 한국전쟁 기간중에 통역장교로 해병대 복무를 마치고 복학하여 1955년에 서울대학교 물리학과를 졸업하였다. 오하이오 주립대학교 전자공학과에서 1956년에 석사 및 1959년에 박사학위를 받았다. 오하이오 주립대학교에서는 성장중인 산화층을 통과하여 실리콘에 불순물을 확산시키는 연구를 하였다. 1959년부터 벨 연구소에서 근무하였으며, 여기서 1960년에 마틴 아탈라(Martin Mohammed John Atalla)와 공동으로 금속-산화층-반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)을 최초로 개발하였고, 결정성 실리콘 기판에 설치된 강한 전기장 전자 장치(hot electron device)에서 불순물 주입을 연구하였다.
미국 전기전자공학회(IEEE), 한국물리학회 종신회원을 지냈으며, 1975년에는 프랭클린 연구소에서 물리분야에 수여하는 스튜어트 밸런타인 메달, 1986년에는 오하이오 주립대학교 공과대학 '자랑스런 졸업생상(Distinguished Alumni Awards)'을 수상하였다. 수십편의 논문과 몇 권의 책을 저술하였으며 수십편의 미국 특허를 얻었다. MOSFET을 최초로 개발한 공로로 2009년에 미국 상무부 산하 특허청의 발명가 명예의 전당(National Inventors Hall of Fame)에 올랐다.
