<반도체, 디스플레이이야기3>

상복이 지지리도 없는 MOSFET 하지만 진정한 승리자 MOSFET

BJT, HBT, MOSFET이야기

BJT(Bipolar Junction Transistor)는 여러분도아시다시피 1947년 미국 Bell Lab.의 윌리엄 쇼클리, 죤 바딘, 월터 하우저 브래튼이 공동으로 발명하였고 1956년 노벨 물리학상을 수상하였다.

BJT는 1960년대 트랜지스터라디오의 보급으로 전성기를 누렸지만 21세기에 들어서는 MOSFET기반메모리(CMOS) 등에 밀려 상대적으로 수요가 전체 반도체 시장의 5%도차지 않고 있다.

한편 HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)는BJT와 기본 구조는 같지만(Emitter, Base, Collector)Emitter에 해당하는 물질을 wideband gap물질(InGaP, AlGaAs)로 사용, 고속 통신용 부품에 적합하다고증명되면서 현대 정보 통신 기술의 초석을 이루었다고 하여 2000년 UC-산타바바라의크뢰머교수가 노벨 물리학상을 공동 수상하였다.

HBT소자는 현재 널리 보급된 스마트폰내 전력증폭회로(스마트폰에서 중계기로 증폭된 신호를 보낼 때 사용되는 회로)용 소자로사용되고 있지만 이것도 Si CMOS기술로 대체되고 있는 실정이다.

하지만 MOSFET은 자랑스러운 대한민국 과학자 강대원 박사가 BJT를 발명한 같은 연구소(Bell Lab.)에서 1960년 발명하였다. BJT보다 발명도 13년이나 늦었고 노벨 물리학상도 받지 못했지만 현대 정보사회에 사용되는 대부분의 반도체 소자는 MOSFET으로 이루어졌다고 해도 과언이 아니다. 현대 산업사회를 이끄는반도체 소자는 이외에도 여러 종류가 더 있지만 MOSFET(CMOS)소자 사용이 다른 반도체소자와 비교불가일정도로타의 추종을 불허한다.

여러분은 어떤 선택을 하겠습니까?

상은 받았지만 산업에 많이 사용되지 않은 기술?

상은 못 받았지만 산업에 많이 활용되는 기술?

명예냐 실리냐?

저 개인적으로 둘 중 선택하라면 후자를 선택하겠습니다. ㅎㅎ

참고로 필자는 HBT 소자관련 연구를 하여 2000년 미국 미시간대학교에서 전자공학 박사학위를 받았지만 박사후 5년만에HBT 연구를 접고 그 후 새로운 TFT 연구를 시작하여지금까지 관련 연구, 강의를 하고 있습니다. 

  (출처 위키피디아)