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| MOS CAP관련된 문제 질문입니다 | 남상혁 / 2017.05.05 | |
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다음주에 반도체 2차시험이 MOSFET 단원인데 기출문제에서 비슷하게 나온다고 했는데 솔루션이 없어서 제가 푼 답이 맞는지 안맞는지 잘 모르겠습니다.
1-(a)의 경우 p=ni*exp[(Ei-Ef)/kT)로 구하는것이 맞지요?
1-(b)의 경우 열평형 상태에서의 밴다이어그램을 그려야 하는데 가해진 전압에 따라 밴드다이어그램이 바뀌는것 아닌가요? 잘 모르겠습니다.
1-(c)의 경우 maximum depletion width를 구하라는것이 strong inversion에서의 폭을 구하는것인데 위의 조건만으로 어떻게 구하죠
1-(d)의 경우 strong inversion일때 oxide-si interface에서 si 근처의 전자농도를 구하라는것인데 어떻게 구할지 잘 모르겠습니다..
2번의 경우에는 semiconductor의 에너지밴드캡이 1ev라는 조건만 알려주고 metal-semiconductor의 페르미 레벨 차이 Φms를 어떻게 구할 수 있나요?
위 2문제의 풀이 식을 알려주시면 감사하겠습니다!!
첨부파일
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| 답변 상태 | 답변완료 | ||
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| 담당자 | 최고관리자 | 답변일 | 2017.05.06 |
| 답변내용 |
남상혁 학생 그림의 해상도가 낮아 전혀 읽을 수가 없군요. 다시 한번 해상도를 높여 보내주기 바라고 본인이 어떻게 풀었는지 보여주면 어디가 틀렸는지 알려주겠습니다.
그리고 독취사, 스펙업등에 앤디솔 강의에 대한 소감도 좀 올려주면 앤디솔에 큰 힘이 됩니다. 잊지말고 시간 잠깐 내어서 올려주면 마케팅에서 답례로 일주일 수강연장을 해줄 겁니다.
일단 해상도를 높인 그림과 본인이 푼 답안을 보내주고 독취사와 스펙업등에 소감부탁합니다.
이번 다가 오는 시험도 잘 준비해서 잘보세요. 화이팅.!!!!!!
lecture 3e 강의를 다시 한번 듣고 생각해보기 바랍니다. |
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