먼저 교안 2a 7 페이지, 2b 9페이지, Neamen책 252페이지 그림 7.9를참고 바랍니다.

역바이어스에 의해 buit-in voltage는 더 깊어지고 p지역으로는 전자가 n 지역으로 는 홀이 공급됩니다.

Junction 쪽에 p지역 depeletion지역은 – charge화 되어있는데 -charge전자가 유입되면서 좀 더 많은-charge화가 되고

p지역은neutral이지만 p지역 depletion 은 이미 –charge화 되어 있고 추가로 전자가유입되면서

depletion 바깥쪽에 -charge들이 쌓이게되는데 밴드갭으로 설명을 하면 CB로 유입된 전자가 acceptor level로 떨어지기도 하고

CB에 남아있기도 하고 또 VB 로recombination되기도 하지만 역바이어스 걸리기 전보다는 상대적으로 더 –chage화 되었다고 보면 됩니다.

n 지역도 마찬가지로 홀이 공급되면서 depletion 바깥쪽에 홀들이 상대적으로 몰리면서 약간의축적이 일어나고 그것이 좀더

+ charge화 되었다고 보면 됩니다.

위의 답은 김명하수강생이 질문과 같은 내용이라 같은 방식으로 답을 했습니다. 조만간 김명하씨 질문을 자주하는 질문에 올리도록 하겠으니

다른 수강자의 질문도 검토해서 좀 더 확고한 지식이 되기를 빕니다.