제가 인터넷을 열심히 뒤져봤지만 정말 알아내지 못한 부분을 질문드립니다...
a-Si TFT는 Bottom Gate 형식을많이 쓰고, LTPS TFT는 Top Gate 형식을 많이사용한다고 하더라고요.
LTPS에서 Top Gate를사용하는 실질적인 이유가 있는지 궁금하여 인터넷을 조사해봤지만,
LTPS는 대면적화가 어렵기 때문이다...이런말들이 나오거나 관련된 내용을 못찾는 경우가 많았어요.
결국 교수님게 질문을 드리게 되었습니다...
LTPS가 Top Gate 방식을쓰는 실질적인 이유가 있습니까?
답) ㅎㅎ 끊임없이 질문을하는군요.. 배우려는 자세가 좋은데 이질문은 같은 회사 선배한테 물어보면 금방 얻을 답 같은데??
답은 Top gate방식으로 사용하면 마스크 수는 bottomgate보다 많이 들어가 생산성은 떨어지지만 대신 parasitic cap값을 극한으로줄일수 있습니다. Top gate를 통해 self-aligned gate를통해 Cds, Cgs값을 극한으로 줄여서 current 구동방식인 OLED에 구동에 핵심기술로 사용됩니다.
반면 bottom gate는 self-align 할수없어 parasitic cap값이 top gate보다 클수 밖에 없습니다.
OLED부서 사람들에게 한번 확인해보세요. 내답이 맞은지 ㅎㅎ
그리고 LTPS는 유리기판위에 a-Si을 PECVD로 올리고 lasering을통해 poly silicon을 만들기 때문에 bottom gate가근본적으로 불가능합니다. 예를 들어 bottom gate 경우는bottom gate metal올리고 gate oxide올리고a-Si 위에 올린후 laser 열처리를 하면 그밑에 gate metal이 다 녹아 버립니다. 그만큼 lasering 공정동안 높은 열로 인해 견디지 못하는 것이지요. 이런점들 때문에 LTPS는 top gate로 할 수밖에 없고그러다 보니 self align기술을 써서 parasitic cap도줄일수 있는 꿩먹고 알먹고 를 할수 있는데 마스크가 많이 들어가고 아직 대면적 lasering기술이없고 생산성이 떨어지는 단점이 있습니다. 그래서 산화물TFT로대체해보려고 하는 겁니다. 이해가 되었기를..
2. 이 부분은 지난 질문에 이은 것입니다.
S/D의 Ti /Al / Ti에서 Ti는 Al의 산화방지 /Ohmic Conatact을 위해서 사용한다고 말씀해주셨는데요,
TFT 상부의 PXL 전극과 S/D이 Contact될 것인데,PXL전극 - Ti - Al 의 순서로 Contact이될 것입니다.
여기서, Ti의 역할도 Al의 산화방지인가요? / Ti이 들어감으로써 Conatact 저항 문제는 나타나지 않나요?
답) 산업현장에서는 Ti/AlTi 구조를 사용하지 않습니다. 마지막 Ti는 상부 픽셀전극과 contact시 TiOx로 변환이 되어있을텐데 Pixel전극을 증착하기전에 반드시 TiOx를 제거하는 wet 공정을 거치고 증착을 하면 pixel전극과 Ti가 접합하면서 부착력이 훨씬 좋아지게 되기도 합니다.
산업현장에서는 굳이 이구조를 많이 쓰지 않는 것으로 알고 있습니다.
홍보도 않하고 질문만 계속 하기 없기….ㅎㅎ
