ð  Gate에 +전압을 가하면 어디선가 전압강하 일어나야 합니다. 챕터 1에서 drift 전류를배울때 밴드갭이 기울어지는 것(밴딩되는 것)은 외부에서 전기장이 형성 되었을 때 즉 외부 에너지(전기장)에 의해서 밴드갭(에너지 라인)도휘어 진다(밴딩)고 강의를 했습니다. 이부분을 강조하기 위해 막대 자석에 쇳가루도 부연 설명하고 그랬는데 기억이나는지 모르겠네요. 아무튼 외부에 +전압을 주면 전압강하가어디선가 일어나야 하고 gate oxide와 반도체에 걸쳐서 전기장이 형성되면서 전압 강하가 일어날것입니다. 그런데 하필이면 gate에 +전압을 주어서 gate쪽 전자의 에너지 준위가 +전압(+Vgs) 만큼 낮아지게 되고 gate oxide와 반도체 접촉면도 따라서 기울어지게(밴딩) 되는 겁니다. 반도체쪽이 밴딩 다운되면 fermi level이 CB와 가까워 지기 때문에 그 부분에 전자가많이 존재할 것이라는 것은 챕터 1에서 fermi level이CB와 가까울수록 CB위에 전자가 많아진다는 것을 배웠습니다.