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MOSFET에서 질문드립니다 이재환 / 2024.11.06

안녕하세요, 강의 정말 잘 들었습니다.


선생님 덕분에 조금 부족했던 기초를 강의를 통해 잡을 수 있었습니다.


질문은 마지막 단원 MOSFET을 보고 드립니다.


MOSFET에서 GATE에 BIAS를 줬을 때, semiconductor 쪽에 전자가 끌려오거나, 홀이 끌려올 때


에너지 밴드가 밴딩되는 현상에서 


왜 전자와 홀이 끌려왔다는 이유만으로 에너지가 밴딩되는지 궁금합니다.!


좋은 강의 감사했습니다.!

첨부파일
QNA
답변 상태 답변완료
담당자 앤디솔 답변일 2024.11.07
답변내용

 

ð  Gate+전압을 가하면 어디선가 전압강하 일어나야 합니다. 챕터 1에서 drift 전류를배울때 밴드갭이 기울어지는 것(밴딩되는 것)은 외부에서 전기장이 형성 되었을 때 즉 외부 에너지(전기장)에 의해서 밴드갭(에너지 라인)도휘어 진다(밴딩)고 강의를 했습니다. 이부분을 강조하기 위해 막대 자석에 쇳가루도 부연 설명하고 그랬는데 기억이나는지 모르겠네요. 아무튼 외부에 +전압을 주면 전압강하가어디선가 일어나야 하고 gate oxide와 반도체에 걸쳐서 전기장이 형성되면서 전압 강하가 일어날것입니다. 그런데 하필이면 gate+전압을 주어서 gate쪽 전자의 에너지 준위가 +전압(+Vgs) 만큼 낮아지게 되고 gate oxide와 반도체 접촉면도 따라서 기울어지게(밴딩) 되는 겁니다. 반도체쪽이 밴딩 다운되면 fermi levelCB와 가까워 지기 때문에 그 부분에 전자가많이 존재할 것이라는 것은 챕터 1에서 fermi levelCB와 가까울수록 CB위에 전자가 많아진다는 것을 배웠습니다.