전) 삼성전자, 삼성디스플레이 임원 직강(반도체 경력 30년)

"직무(PT) 면접 준비 단기간 정리용"

에너지 밴드갭 생성 원리부터 MOSFET 동작원리 및 short-channel 효과+BJT동작원리 까지 총 14시간 30분 강의

* 일시 수강 정지는 eco-plus인 경우 불가능 합니다.

<반도체기초+다이오드+MOSFET+BJT>

새로 업데이트 된 영상: "chap 1반도체 기초, chap 2 p-n diode chap3 MOSFET 동작과 short channel effect" 까지

MOSFET CV와 BJT는 기존 영상임을 미리 알려드립니다. 참고바랍니다.

<강의시간 총 14시간 30분> 삼성전자, 삼성디스플레이, SK hynix, 엘지디스플레이 입사 면접 준비시 강추

그동안 어렵게만 느껴졌던 "반도체공학" 앤디솔 강의 몇시간만 들어도 반도체가 이렇게 쉬웠나 할겁니다. 

 반도체,디스플레이 기업 취업준비생들에게 최적인 반도체 공학 강의

 (2017년 앤디솔 수강자들의 수많은 합격후기를 고객센터/수강후기를 참고하세요)

 

•반도체디스플레이 기업 면접을 앞두고 반도체 지식 면접에 자신이 없다면 한번들어 보세요.

    ⇨ 면접관 질문에 쉽고 명쾌한 대답이 가능하도록 도와드리겠습니다.

반도체공학(물리전자)수강 이,공과대대학생

 

•현재수강하는 “반도체공학(물리전자)”에서 아직 개념이 잘 잡히지 않으십니까?

 

•복잡한수식 보다는 물리적 개념을 먼저 파악하고 싶으십니까?

 

• 앤디솔 "반도체 공학"을 학교 강의전에 시청하면 교수님 강의가 너무 쉽게 이해가 될것이고

  교수님 강의후 복습 하면 교수님이 잘못 설명한 부분까지 알아낼 수 있을 겁니다.

주의 사항

* 일시 수강 정지는 eco-plus인 경우 불가능 합니다..

 * 본강좌는 2대 한정 기기등록을 통하여 온라인강좌를 제공합니다 

   시청가능기기 2대한정: (PC, 태블릿, 스마트폰중 2대만)

   아이디 공유위반시 앤디솔 정책사항에 따릅니다 .

   빔프로젝터를 통한 시청은 차단이되며 앤디솔 정책에 위반됩니다

   단체 시청을 원할시에는 앤디솔에 문의바랍니다 .

  수강후에는 아이디 중복재생 방지를 위해 로그아웃 해주시길 바랍니다

    

   수강시환불규정

  강의수강중  환불요청을 고객센터나 게시판에 남겨주시면 강의 정가 가격(할인 미적용 금액으로 산정)

   (수강하신강의 + 신용카드 수수료 ) 를 제외한 금액 환불해드립니다 .

   패키지강의인 경우 할인이 적용된 상품이기 때문에 챕터 1~3으로 가정하였을시

  챕터 강의를 (부분)수강하였거나 교재만 다운로드 받았을시에도 강의수강처리되며 제외한 나머지 챕터 강의 요금을 환불해드립니다 .

   (환불시 할인 미적용 금액으로 산정) : 총지불금액-(부분수강 챕터 + 챕터 교재 다운로드 (할인미적용 금액))

  환불가능기간 : 수강신청후 수강 시작일로부터 7일이내

 

교재는 PC에서 마이페이지 클릭 > 강의실입장 > 강의목차 PDF 파일로 다운로드 받으실수있습니다 .

                                                                                                                     Computer graphic designed by Eudum Kim, Sunho Kim

 

반도체물리 패키지2 강의 목차



Chapter1. 반도체 기초

1a 반도체정의, 에너지밴드갭생성원리

1b 밴드갭내전자의 분포와 and Fermi level 개념잡기

1c 전자와홀의 농도 계산법

1d n type p type 도핑원리개념잡기

1e n type p type에서전자와 홀의 농도계산법

1f Compensated 반도체개념잡기

1g Diffusion & Drift currents개념완성

1h quasi-fermi level, SRH recombination은무엇인가?



Chapter2.p-n diode

2a p-n junction의물리적 이해1

2b p-n junction의물리적 이해2

2c p-n diode개념완성

2d Metal-semiconductor contact-schottky and ohmic contacts 개념잡기



Chapter3. MOSFET

3a MOSFET 개념

3b MOSFET동작원리

3c MOSFET 소자열화 개념 완성

3d MOSFET응용-short channel effect 원리

3e Ideal MOScapacitor & C-V characteristics

3f Real MOS capacitor& C-V characteristics



chapter 4. BJT

4a BJT 기본 동작 개념 완성, 증폭원리 개념잡기

4b Emitter, Base, Collector에서 Minority carrier 분포의 물리적 의미

4c Early, Kirk effect & Breakdown 개념잡기, 주파수응답 특성